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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 1,1kV 35A SOT227B Ugs ±40V 960W

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Code: TMEIXFN40N110Q3
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 1,1kV 35A SOT227B Ugs ±40V 960W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung1.1kV
Drainstrom35A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand260mΩ
Drainstrom im Impuls100A
Verlustleistung960W
TechnologieHiPerFET™
TechnologieQ3-Class
Kanal-Artstark
Gate-Ladung300nC
Bereitschaftszeit434ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar