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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 100V 200A SOT227B Ugs ±30V 680W

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Code: TMEIXFN200N10P
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 100V 200A SOT227B Ugs ±30V 680W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung100V
Drainstrom200A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand7.5mΩ
Drainstrom im Impuls400A
Verlustleistung680W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung235nC
Bereitschaftszeit150ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar