Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 100В 640А SP6C Ugs ±30В 2,5кВт

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM10UM01FAG
Упаковка:
Mindestabnahme: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€390.8 (Цена с НДС)
€323 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. €323 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 100В 640А SP6C Ugs ±30В 2,5кВт - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток100В
Ток стока640А
КорпусSP6C
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии1,6мОм
Ток стока в импульсном режиме2200А
Рассеиваемая мощность2,5кВт
ТехнологияFREDFET
ТехнологияPOWER MOS 5®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами