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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 150V 150A SOT227B Ugs ±30V 680W

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Strichcode:
Code: TMEIXFN180N15P
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 150V 150A SOT227B Ugs ±30V 680W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung150V
Drainstrom150A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand11mΩ
Drainstrom im Impuls380A
Verlustleistung680W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolarHT™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung240nC
Bereitschaftszeit200ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar