Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul einzelner Transistor 200V 115A SOT227B Ugs ±30V 680W

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEIXFN140N20P
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

€29.62 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€24.48 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 2+ ks 5+ ks 10+ ks 50+ ks Mehr
Einzelpreis €23.17 €23.17 €23.04 €21.82 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 1


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul einzelner Transistor 200V 115A SOT227B Ugs ±30V 680W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung200V
Drainstrom115A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand18mΩ
Drainstrom im Impuls280A
Verlustleistung680W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung240nC
Bereitschaftszeit150ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar