GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Einheiten auf Lager i | 274 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXFN132N50P3 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul einzelner Transistor 500V 112A SOT227B Ugs ±40V 1500W - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 500V |
| Drainstrom | 112A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 39mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 330A |
| Verlustleistung | 1500W |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Technologie | Polar™ |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Ladung | 250nC |
| Bereitschaftszeit | 250ns |
| Gate-Source Spannung | ±40V |
| Mechanische Montage | schraubbar |