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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 650V 108A SOT227B Ugs ±40V 890W

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Code: TMEIXFN120N65X2
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 650V 108A SOT227B Ugs ±40V 890W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung650V
Drainstrom108A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand24mΩ
Drainstrom im Impuls240A
Verlustleistung890W
TechnologieHiPerFET™
TechnologieX2-Class
Kanal-Artstark
Gate-Ladung240nC
Bereitschaftszeit220ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar