Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 850В 65А SOT227B Ugs ±40В 830Вт

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN66N85X
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: IXYS

€57.3 (Цена с НДС)
€47.4 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 850В 65А SOT227B Ugs ±40В 830Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток850В
Ток стока65А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии65мОм
Ток стока в импульсном режиме140А
Рассеиваемая мощность830Вт
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияX-Class
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора230нC
Время готовности250нс
Напряжение затвор-исток±40В
Механический монтажвинтами