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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 900V 33A SOT227B Ugs ±40V Idm 80A

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Code: TMEIXFN40N90P
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 900V 33A SOT227B Ugs ±40V Idm 80A - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung900V
Drainstrom33A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand230mΩ
Drainstrom im Impuls80A
Verlustleistung695W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung230nC
Bereitschaftszeit300ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar