GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
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| Code: | TMESTE88N65M5 |
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| Mindestabnahme: | 1 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Hersteller: | ST MICROELECTRONICS |
Modul einzelner Transistor 650V 55,7A ISOTOP Ugs ±25V 494W - Produkt beschreibung
Hersteller STMicroelectronics Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters einzelner Transistor Drain-Source Spannung 650V Drainstrom 55.7A Gehäuse ISOTOP Elektrische Montage schraubbar Polarisierung unipolar Widerstand im Leitungszustand 24mΩ Drainstrom im Impuls 352A Verlustleistung 494W Technologie MDmesh™ Technologie MESH OVERLAY™ Technologie PowerMesh™ Gate-Source Spannung ±25V Verpackungs-Art Tube Mechanische Montage schraubbar