GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEMSCC60VRM99CT3AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 8 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Thyristor/Transistor 600V 19A SP3F SiC - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Thyristor/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 600V |
| Drainstrom | 19A |
| Gehäuse | SP3F |
| Topologie | Vienna Rectifier |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 99mΩ |
| Technologie | SiC |
| Mechanische Montage | schraubbar |