Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 1,2кВ 110А SP6P Press-in PCB SiC

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTMC120TAM17CTPAG
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

(Цена с НДС) на заказ

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 1,2кВ 110А SP6P Press-in PCB SiC - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток1,2кВ
Ток стока110А
КорпусSP6P
Топологияполумост MOSFET x3
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажPress-in PCB
Сопротивление в открытом состоянии17мОм
Ток стока в импульсном режиме300А
Рассеиваемая мощность625Вт
ТехнологияSiC
Механический монтажвинтами