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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 395A D3 Idm 990A 2031W SiC

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Code: TMEMSCSM120AM042CD3AG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 395A D3 Idm 990A 2031W SiC - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom395A
GehäuseD3
TopologieHalbbrücke MOSFET + Reihendioden
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand5.2mΩ
Drainstrom im Impuls990A
Verlustleistung2031W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar