GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEMSCSM120AM042CD3AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 2 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 395A D3 Idm 990A 2031W SiC - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 1.2kV |
| Drainstrom | 395A |
| Gehäuse | D3 |
| Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Widerstand im Leitungszustand | 5.2mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 990A |
| Verlustleistung | 2031W |
| Technologie | SiC |
| Mechanische Montage | schraubbar |