Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 44A SOT227B schraubbar 245W

Strichcode:
Code: TMEMSC40SM120JCU2
Packen:
Mindestabnahme: 1
Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

Menge


Versandkosten


€60 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 44A SOT227B schraubbar 245W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom44A
GehäuseSOT227B
Topologieboost chopper
Elektrische Montageschraubbar
Widerstand im Leitungszustand50mΩ
Drainstrom im Impuls110A
Verlustleistung245W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar