Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 500В 34А SP4 Ugs ±30В Idm 184А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM50HM75SCTG
Упаковка:
Mindestabnahme: 6
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€218.1 (Цена с НДС)
€180.2 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 6+ ks Более
Цена/шт. €180.23 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 6


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 500В 34А SP4 Ugs ±30В Idm 184А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток500В
Ток стока34А
КорпусSP4
Топологиямост H + параллельные диоды + последовательные диоды
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии90мОм
Ток стока в импульсном режиме184А
Рассеиваемая мощность357Вт
ТехнологияPOWER MOS 7®
ТехнологияSiC
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами