GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTC60DAM18CTG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 7 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 600V 107A SP4 Ugs ±30V Idm 572A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 600V |
| Drainstrom | 107A |
| Gehäuse | SP4 |
| Topologie | boost chopper |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Widerstand im Leitungszustand | 18mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 572A |
| Verlustleistung | 833W |
| Technologie | CoolMOS™ |
| Technologie | SiC |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |