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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul SiC-Diode/Transistor 600V 70A SP1 Ugs ±20V Idm 260A
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTC60SKM24CT1G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 11 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 600V 70A SP1 Ugs ±20V Idm 260A - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 600V Drainstrom 70A Gehäuse SP1 Topologie buck chopper Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 24mΩ Drainstrom im Impuls 260A Verlustleistung 462W Technologie SiC Technologie SJ-MOSFET Gate-Source Spannung ±20V Mechanische Montage schraubbar