[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET

Модуль диод SiC/транзистор 600В 70А SP4 Ugs ±20В Idm 260А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTC60AM24SCTG
Упаковка:
Mindestabnahme: 6
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€198.8 (Цена с НДС)
€164.3 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 6+ ks Более
Цена/шт. €164.29 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 6


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 600В 70А SP4 Ugs ±20В Idm 260А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток600В
Ток стока70А
КорпусSP4
Топологияполумост MOSFET
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии24мОм
Ток стока в импульсном режиме260А
Рассеиваемая мощность462Вт
ТехнологияCoolMOS™
ТехнологияSiC
Напряжение затвор-исток±20В
Механический монтажвинтами