Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 600В 87А SP6P Ugs ±20В Idm 400А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTC60TAM21SCTPAG
Упаковка:
Mindestabnahme: 3
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€505.3 (Цена с НДС)
€417.6 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 3+ ks Более
Цена/шт. €417.56 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 3


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 600В 87А SP6P Ugs ±20В Idm 400А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток600В
Ток стока87А
КорпусSP6P
Топологияполумост MOSFET x3
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажPress-in PCB
Сопротивление в открытом состоянии21мОм
Ток стока в импульсном режиме400А
Рассеиваемая мощность625Вт
ТехнологияCoolMOS™
ТехнологияSiC
Напряжение затвор-исток±20В
Механический монтажвинтами