GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEMSCSM70AM07CT3AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 3 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 700V 281A SP3F Press-in PCB 988W - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 700V |
| Drainstrom | 281A |
| Gehäuse | SP3F |
| Topologie | Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 6.4mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 700A |
| Verlustleistung | 988W |
| Technologie | SiC |
| Mechanische Montage | schraubbar |