Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul SiC-Diode/Transistor 700V 98A SP3F Press-in PCB 365W

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEMSCSM70HM19CT3AG
Packen:
Mindestabnahme: 4
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€237.55 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€196.32 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 4+ ks Mehr
Einzelpreis €196.32 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 4


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul SiC-Diode/Transistor 700V 98A SP3F Press-in PCB 365W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung700V
Drainstrom98A
GehäuseSP3F
TopologieHalbbrücke MOSFET + Paralleldioden
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand19mΩ
Drainstrom im Impuls250A
Verlustleistung365W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar