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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 800V 21A SP4 Ugs ±30V Idm 112A

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Code: TMEAPTC80A15SCTG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 800V 21A SP4 Ugs ±30V Idm 112A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung800V
Drainstrom21A
GehäuseSP4
TopologieMOSFET Halbbrücke
TopologieNTC Thermistor
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand150mΩ
Drainstrom im Impuls112A
Verlustleistung277W
TechnologieCoolMOS™
TechnologieSiC
TechnologieSJ-MOSFET
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar