Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль транзистор/транзистор 1кВ 59А SP6C Ugs ±30В Idm 312А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM100AM90FG
Упаковка:
Mindestabnahme: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€416.6 (Цена с НДС)
€344.3 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. €344.28 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль транзистор/транзистор 1кВ 59А SP6C Ugs ±30В Idm 312А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Напряжение сток-исток1кВ
Ток стока59А
КорпусSP6C
Топологияполумост MOSFET
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии105мОм
Ток стока в импульсном режиме312А
Рассеиваемая мощность1,25кВт
ТехнологияFREDFET
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами