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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Transistor/Transistor 600V 54A SP1 Ugs ±20V Idm 200A
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTC60AM35T1G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 13 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul Transistor/Transistor 600V 54A SP1 Ugs ±20V Idm 200A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 600V |
| Drainstrom | 54A |
| Gehäuse | SP1 |
| Topologie | MOSFET Halbbrücke |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 35mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 200A |
| Verlustleistung | 416W |
| Technologie | CoolMOS™ |
| Gate-Source Spannung | ±20V |
| Mechanische Montage | schraubbar |