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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Transistor/Transistor 1,2kV 300A B3.7 Ugs ±20V SiC
| Strichcode: | |
| Code: | TMEMD300HFR120B3S |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 12 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul Transistor/Transistor 1,2kV 300A B3.7 Ugs ±20V SiC - Produkt beschreibung
Hersteller STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Transistor/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 300A Gehäuse B3.7 Topologie MOSFET Halbbrücke Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 7.5mΩ Drainstrom im Impuls 1.096kA Technologie SiC Gate-Source Spannung ±20V Mechanische Montage schraubbar