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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Transistor/Transistor 1,2kV 75A L3 Press-in PCB 277W
| Strichcode: | |
| Code: | TMEMD75FSC120L3SF |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 16 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Modul Transistor/Transistor 1,2kV 75A L3 Press-in PCB 277W - Produkt beschreibung
Hersteller STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Transistor/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 75A Gehäuse L3 Topologie 3-phasen Brücke MOSFET Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 25.6mΩ Drainstrom im Impuls 250A Verlustleistung 277W Technologie SiC Gate-Source Spannung -4...15V Mechanische Montage schraubbar