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MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

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Modul Transistor/Transistor 100V 370A SP6C Ugs ±30V 1,25kW

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Code: TMEAPTM10AM02FG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul Transistor/Transistor 100V 370A SP6C Ugs ±30V 1,25kW - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
Drain-Source Spannung100V
Drainstrom370A
GehäuseSP6C
TopologieMOSFET Halbbrücke
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand2.5mΩ
Drainstrom im Impuls1900A
Verlustleistung1.25kW
TechnologieFREDFET
TechnologiePOWER MOS 5®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar