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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Transistor/Transistor 1kV 14A SP3 Ugs ±30V Idm 120A
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM100H46FT3G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 12 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Transistor/Transistor 1kV 14A SP3 Ugs ±30V Idm 120A - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Transistor/Transistor Drain-Source Spannung 1kV Drainstrom 14A Gehäuse SP3 Topologie Brücke H Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 552mΩ Drainstrom im Impuls 120A Verlustleistung 357W Technologie POWER MOS 8® Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar