GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM60A11FT1G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 15 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Transistor/Transistor 600V 30A SP1 Ugs ±30V Idm 245A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 600V |
| Drainstrom | 30A |
| Gehäuse | SP1 |
| Topologie | MOSFET Halbbrücke |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 110mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 245A |
| Verlustleistung | 390W |
| Technologie | FREDFET |
| Technologie | POWER MOS 8® |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |