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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Transistor/Transistor 600V 54A SP6P Ugs ±20V Idm 200A
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTC60TAM35PG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 5 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Transistor/Transistor 600V 54A SP6P Ugs ±20V Idm 200A - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Transistor/Transistor Drain-Source Spannung 600V Drainstrom 54A Gehäuse SP6P Topologie MOSFET x3 Halbbrücke Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 35mΩ Drainstrom im Impuls 200A Verlustleistung 416W Technologie CoolMOS™ Technologie SJ-MOSFET Gate-Source Spannung ±20V Mechanische Montage schraubbar