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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
Module gate driver board IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TME62EM1-00001 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Module gate driver board IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | gate driver board |
| Topologie | IGBT Halbbrücke |
| Topologie | MOSFET Halbbrücke |
| Anwendung | for medium and high power application |
| Montage | PCB |
| Betriebstemperatur | -40...85°C |
| Spannungsklasse | 1.2kV |
| Versorgungsspannung | 14...16V DC |
| Frequenz | 200kHz |
| Ausgangsstrom | 20A |
| Ausgangs-Art | Steuerung SiC MOSFET |
| Eigenschafte integrierter Schaltkreise | galvanische Trennung |
| Eigenschafte integrierter Schaltkreise | integrierter DC-DC Wandler |
| Passendes Zubehör | ASBK-014 |
| Handelsname | AgileSwitch® |