GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET
| Einheiten auf Lager i | 227 Menge |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEIXFN100N50P |
| Упаковка: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Производитель: | IXYS |
Модуль одиночный транзистор 500В 75А SOT227B Ugs ±30В 240нC - Описание товара
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Тип модуля | полевой МОП-транзистор |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | 500В |
| Ток стока | 75А |
| Корпус | SOT227B |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 49мОм |
| Ток стока в импульсном режиме | 250А |
| Рассеиваемая мощность | 1,04кВт |
| Технология | HiPerFET™ |
| Вид канала | обогащенный |
| Заряд затвора | 240нC |
| Время готовности | 200нс |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Механический монтаж | винтами |