GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPT102GA60L |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROSEMI |
Transistor IGBT 600V 102A 780W TO264 - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
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| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | POWER MOS 8® |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 102A |
| Verlustleistung | 780W |
| Gehäuse | TO264 |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 307A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 294nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 65ns |
| Ausschaltzeit | 313ns |