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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 600V 102A 780W TO264

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Code: TMEAPT102GA60L
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Hersteller: MICROSEMI

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 600V 102A 780W TO264 - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Transistor-TypIGBT
TechnologiePOWER MOS 8®
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom102A
Verlustleistung780W
GehäuseTO264
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls307A
MontageTHT
Gate-Ladung294nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit65ns
Ausschaltzeit313ns