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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 600V 10A 12W TO220F EAus 0,04mJ EEin 0,14mJ

Einheiten auf Lager i 166 Menge
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Code: TMEAOTF10B60D2
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 600V 10A 12W TO220F EAus 0,04mJ EEin 0,14mJ - Produkt beschreibung

HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom10A
Verlustleistung12W
GehäuseTO220F
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls20A
MontageTHT
Gate-Ladung9.4nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit26ns
Ausschaltzeit124ns
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.1.55V
Ausschaltenergie0.04mJ
Einschaltenergie0.14mJ