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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 10A 12W TO220F EAus 0,13mJ EEin 0,18mJ

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Code: TMEAOTF10B65M2
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 10A 12W TO220F EAus 0,13mJ EEin 0,18mJ - Produkt beschreibung

HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom10A
Verlustleistung12W
GehäuseTO220F
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls30A
MontageTHT
Gate-Ladung24nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit28ns
Ausschaltzeit131ns
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.1.6V
Ausschaltenergie0.13mJ
Einschaltenergie0.18mJ