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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 18A 52,5W D2PAK einzelner Transistor

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Code: TMEIKB15N65EH5ATMA1
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 18A 52,5W D2PAK einzelner Transistor - Produkt beschreibung

HerstellerINFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-TypIGBT
TechnologieTRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom18A
Verlustleistung52.5W
GehäuseD2PAK
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls45A
MontageSMD
Gate-Ladung38nC
Verpackungs-ArtBand
Verpackungs-ArtRolle
Anschaltzeit33ns
Ausschaltzeit172ns
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode