GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMERGT50NS65DGC9 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | ROHM SEMICONDUCTOR |
Transistor IGBT 650V 25A 97W TO262 - Produkt beschreibung
| Hersteller | ROHM SEMICONDUCTOR |
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| Transistor-Typ | IGBT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 25A |
| Verlustleistung | 97W |
| Gehäuse | TO262 |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 75A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 49nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 65ns |
| Ausschaltzeit | 210ns |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |