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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 30A 111W TO247-3

Einheiten auf Lager i 403 Menge
Strichcode:
Code: TMERGS60TS65DHRC11
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 30A 111W TO247-3 - Produkt beschreibung

HerstellerROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom30A
Verlustleistung111W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls90A
MontageTHT
Gate-Ladung36nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit46ns
Ausschaltzeit290ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode