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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 30A 150W TO247 EAus 0,41mJ EEin 1,02mJ

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Code: TMEAOK30B65M2
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 30A 150W TO247 EAus 0,41mJ EEin 1,02mJ - Produkt beschreibung

HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom30A
Verlustleistung150W
GehäuseTO247
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls90A
MontageTHT
Gate-Ladung63nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit76ns
Ausschaltzeit193ns
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.1.66V
Ausschaltenergie0.41mJ
Einschaltenergie1.02mJ