GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMERGW80TS65DGC11 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 450 |
| Hersteller: | ROHM SEMICONDUCTOR |
Transistor IGBT 650V 40A 107W TO247-3 - Produkt beschreibung
| Hersteller | ROHM SEMICONDUCTOR |
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| Transistor-Typ | IGBT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 40A |
| Verlustleistung | 107W |
| Gehäuse | TO247-3 |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 160A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 110nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 59ns |
| Ausschaltzeit | 228ns |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |