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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 40A 107W TO247-3

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Code: TMERGW80TS65DGC11
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Mindestabnahme: 450
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 40A 107W TO247-3 - Produkt beschreibung

HerstellerROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom40A
Verlustleistung107W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls160A
MontageTHT
Gate-Ladung110nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit59ns
Ausschaltzeit228ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode