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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 60A 166W TO247 EAus 1,17mJ EEin 2,36mJ

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Code: TMEAOK60B65H2AL
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

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Transistor IGBT 650V 60A 166W TO247 EAus 1,17mJ EEin 2,36mJ - Produkt beschreibung

HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom60A
Verlustleistung166W
GehäuseTO247
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls180A
MontageTHT
Gate-Ladung84nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit113ns
Ausschaltzeit270ns
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.1.95V
Ausschaltenergie1.17mJ
Einschaltenergie2.36mJ