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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 80A 197W TO247-3 einzelner Transistor

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Code: TMEIKW75N65ES5XKSA1
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 80A 197W TO247-3 einzelner Transistor - Produkt beschreibung

HerstellerINFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-TypIGBT
TechnologieTRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom80A
Verlustleistung197W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls300A
MontageTHT
Gate-Ladung164nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit86ns
Ausschaltzeit185ns
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode