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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 8A 47W LPDS

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Code: TMERGT16NS65DGTL
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 8A 47W LPDS - Produkt beschreibung

HerstellerROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom8A
Verlustleistung47W
GehäuseLPDS
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls24A
MontageSMD
Gate-Ladung21nC
Verpackungs-ArtBand
Verpackungs-ArtRolle
Anschaltzeit27ns
Ausschaltzeit170ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode