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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 24A 250W TO268

Einheiten auf Lager i 23 Menge
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Code: TMEIXBT24N170
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 24A 250W TO268 - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieBiMOSFET™
Kollektor-Emitter-Spannung1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom24A
Verlustleistung250W
GehäuseTO268
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls230A
MontageSMD
Gate-Ladung140nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit190ns
Ausschaltzeit1285ns
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung