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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 42A 360W D3PAK

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Code: TMEIXBT42N170
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 42A 360W D3PAK - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieBiMOSFET™
TechnologieFRED
Kollektor-Emitter-Spannung1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom42A
Verlustleistung360W
GehäuseD3PAK
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls300A
MontageSMD
Gate-Ladung188nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit224ns
Ausschaltzeit1.07µs
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung