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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT BiMOSFET™ 3kV 12A 160W TO247-3

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Code: TMEIXBH12N300
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT BiMOSFET™ 3kV 12A 160W TO247-3 - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieBiMOSFET™
TechnologieFRED
Kollektor-Emitter-Spannung3kV
Kollektor-Emitter-Strom12A
Verlustleistung160W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls100A
MontageTHT
Gate-Ladung62nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit460ns
Ausschaltzeit705ns
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung