GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEMMIX1X200N60B3 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Transistor IGBT BiMOSFET™ 600V 120A 625W SMPD - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
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| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | BiMOSFET™ |
| Technologie | GenX3™ |
| Technologie | XPT™ |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 120A |
| Verlustleistung | 625W |
| Gehäuse | SMPD |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 1kA |
| Montage | SMD |
| Gate-Ladung | 315nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 140ns |
| Ausschaltzeit | 395ns |