Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Transistor IGBT BiMOSFET™ 600V 120A 625W SMPD

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEMMIX1X200N60B3
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

€45.36 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€37.49 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 20+ ks Mehr
Einzelpreis €35.46 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 1


Versandkosten

Produkt beschreibung

Transistor IGBT BiMOSFET™ 600V 120A 625W SMPD - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieBiMOSFET™
TechnologieGenX3™
TechnologieXPT™
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom120A
Verlustleistung625W
GehäuseSMPD
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls1kA
MontageSMD
Gate-Ladung315nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit140ns
Ausschaltzeit395ns