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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT GenX3™ 1,2kV 12A 100W TO263

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Code: TMEIXGA12N120A3
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT GenX3™ 1,2kV 12A 100W TO263 - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieGenX3™
TechnologiePT
Kollektor-Emitter-Spannung1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom12A
Verlustleistung100W
GehäuseTO263
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls60A
MontageSMD
Gate-Ladung20.4nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit202ns
Ausschaltzeit1545ns