GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXYH30N120C3D1 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 300 |
| Hersteller: | IXYS |
Transistor IGBT GenX3™ 1,2kV 30A 416W TO247-3 - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
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| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | GenX3™ |
| Technologie | Planar |
| Technologie | XPT™ |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 30A |
| Verlustleistung | 416W |
| Gehäuse | TO247-3 |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 133A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 69nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 71ns |
| Ausschaltzeit | 296ns |