GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Einheiten auf Lager i | 262 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXXH60N65B4H1 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Transistor IGBT GenX4™ 650V 60A 536W TO247-3 - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | GenX4™ |
| Technologie | Trench |
| Technologie | XPT™ |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 60A |
| Verlustleistung | 536W |
| Gehäuse | TO247-3 |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 265A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 86nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 94ns |
| Ausschaltzeit | 208ns |